ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块 > IXXN110N65C4H1
Datasheet下载- 型号： IXXN110N65C4H1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXN110N65C4H1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXN110N65C4H1价格参考。IXYSIXXN110N65C4H1封装/规格：晶体管 - IGBT - 模块， IGBT Module PT Single 650V 210A 750W Chassis Mount SOT-227B。您可以下载IXXN110N65C4H1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXXN110N65C4H1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IGBT 650V 210A 750W SOT227BIGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,IXYS IXXN110N65C4H1GenX4™， XPT™ |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXN110N65C4H1 |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 3.69nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.35V @ 15V， 110A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 750W |
| 功率耗散 | 750 W |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 210 A |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 210A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 系列 | IXXN110N65 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.98 V |
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