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  • 型号: PSMN2R2-30YLC,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R2-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R2-30YLC,115价格参考¥2.37-¥2.37。NXP SemiconductorsPSMN2R2-30YLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 141W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN2R2-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R2-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R2-30YLC,115-

数据手册

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产品型号

PSMN2R2-30YLC,115

Pd-PowerDissipation

141 W

Pd-功率耗散

141 W

Qg-GateCharge

55 nC

Qg-栅极电荷

55 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.15 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.49 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.49 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.95V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3310pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

55nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.15 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-6728-6

功率-最大值

141W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tmb)

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