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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138WH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138WH6327XTSA1价格参考¥0.30-¥0.30。InfineonBSS138WH6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3。您可以下载BSS138WH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS138WH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS138WH6327XTSA1 是一款N沟道MOSFET,属于小信号MOSFET类别,广泛应用于低电压、低功耗的开关和信号控制场景。该器件采用SOT-363(SC-88)小型封装,具有高集成度和节省空间的特点,适合对尺寸敏感的便携式电子设备。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理与负载开关,用于实现不同功能模块的供电控制;在电池供电系统中作为电平转换器或信号切换元件,实现I²C、UART等通信总线的隔离与电平匹配;也可用于LED驱动电路、传感器接口电路以及小型继电器或电机的驱动控制。 BSS138WH6327XTSA1具有较低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷,支持快速开关,有助于提高能效并减少发热。其稳定性和可靠性符合工业级标准,适用于工业控制、家用电器中的逻辑控制板以及通信模块等环境。 此外,该型号为车规级产品(符合AEC-Q101标准),因此也适用于汽车电子中的非动力系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、车内照明控制等。 综上,BSS138WH6327XTSA1凭借其小型化、高效能和高可靠性,广泛用于消费电子、工业控制及汽车电子中的信号开关与电源管理应用。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 280 mA |
| Id-连续漏极电流 | 280 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30432313ff5e0123372e94fc63fc |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSS138WH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 8.2 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 6.7 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.12 S |
| 系列 | BSS138 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 零件号别名 | SP000924068 |