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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BCP56-16T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP56-16T3G价格参考¥0.73-¥1.56。ON SemiconductorBCP56-16T3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1A 130MHz 1.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BCP56-16T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCP56-16T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCP56-16T3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于通用型中功率晶体管。该器件常用于开关和放大应用,具有良好的电流驱动能力和较高的增益性能。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:作为负载开关或电压调节电路中的控制元件,适用于便携式设备和电池供电系统。 2. LED驱动:在中小功率LED照明中用作开关,实现亮度调节或通断控制。 3. 继电器或电机驱动:作为驱动继电器、小型电磁阀或直流电机的控制开关,适用于家电、工业控制等领域。 4. 信号放大:用于音频或低频信号放大电路中,实现小信号的线性放大。 5. 逻辑电平转换:在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换与接口匹配。 该晶体管采用SOT-223封装,具有良好的散热性能,适合表面贴装,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等对空间和可靠性要求较高的场合。其铅-free设计符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 80V 1A SOT-223两极晶体管 - BJT 1A 100V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCP56-16T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCP56-16T3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | BCP56-16T3GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | BCP56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |