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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBC846BWT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC846BWT1G价格参考¥0.31-¥0.31。ON SemiconductorSBC846BWT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 65V 100mA 100MHz 150mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)。您可以下载SBC846BWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBC846BWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBC846BWT1G 是 ON Semiconductor 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该器件具有以下应用场景: 1. 电源管理:SBC846BWT1G 可用于开关电源、线性稳压器等电源管理系统中,作为开关或放大元件,帮助实现高效的电压调节和电流控制。其低饱和电压和高电流增益特性使其在这些应用中表现出色。 2. 电机驱动:在小型电机驱动电路中,SBC846BWT1G 可以用作驱动级,控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流,并且具有良好的热稳定性,适合长时间工作在较高温度环境下。 3. 信号放大:该晶体管可以用于音频放大器、传感器信号调理电路等需要信号放大的场合。它的高增益和低噪声特性有助于提高信号的质量和可靠性。 4. 保护电路:在过流保护、短路保护等安全电路设计中,SBC846BWT1G 可以作为关键组件,监测电流并及时切断电路,防止设备因过载而损坏。 5. 通信设备:在一些通信模块中,如无线收发器、调制解调器等,SBC846BWT1G 可用于射频前端电路,提供必要的增益和匹配功能,确保信号传输的稳定性和准确性。 总之,SBC846BWT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种电子设备和系统中都有着广泛的应用前景,尤其是在对功率处理能力和信号质量有较高要求的场景下。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 65V 100MA SC-70两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 65V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SBC846BWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBC846BWT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 450 |
| 系列 | SBC846 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |