ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7342TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7342TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7342TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7342TRPBF价格参考￥2.01-￥2.16。International RectifierIRF7342TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 55V 3.4A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7342TRPBF 是一款P沟道、表面贴装的MOSFET阵列，内部集成两个独立的P沟道MOSFET，采用TSSOP-8封装。该器件适用于需要低电压、低功耗开关控制的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池供电切换与负载开关控制，实现对不同模块电源的高效通断，降低待机功耗。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压反向保护电路中作为开关元件，提升转换效率。 3. 电机驱动与继电器驱动：适用于小功率直流电机或电磁继电器的控制，提供可靠的开关性能。 4. 热插拔电路：用于防止系统在带电状态下插入或拔出组件时产生的浪涌电流，保护后级电路。 5. LED驱动与信号切换：可用于LED背光或指示灯的开关控制，以及模拟/数字信号路径的选择与隔离。 IRF7342TRPBF具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关响应和良好的热稳定性，适合高密度PCB布局。其P沟道设计简化了栅极驱动电路，无需额外电平转换即可实现逻辑电平控制，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7342TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7342TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 105 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7342PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 105 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 26 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 3.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7342.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7342.spi |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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