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Datasheet下载- 型号： BLT81,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLT81,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLT81,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLT81,115价格参考。NXP SemiconductorsBLT81,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 9.5V 500mA 900MHz 2W Surface Mount SOT-223。您可以下载BLT81,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLT81,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLT81,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGe:C）射频晶体管系列，专为高频、高增益和低噪声应用设计。该器件广泛应用于无线通信系统中的射频放大电路。 典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基础设施：用于基站的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，支持 GSM、UMTS、LTE 等移动通信标准，在 900MHz 和 1800MHz 频段表现优异。 2. 无线接入系统：适用于点对点和点对多点微波通信链路，提供高线性度和稳定性，保障信号传输质量。 3. 工业与专用无线电设备：在公共安全通信、铁路调度等专业无线系统中，作为射频前端放大器提升接收灵敏度。 4. 宽带射频放大器设计：由于其宽频带响应和高增益特性，适合用于通用射频模块和测试测量设备中的信号放大环节。 BLT81,115 具备高增益（典型值 >20dB）、低噪声系数（约 0.8dB @ 1GHz）以及优良的热稳定性和可靠性，采用 SOT343 小尺寸封装，便于高密度贴装，适合空间受限的射频板级设计。其 SiGe:C 工艺技术确保了在高频工作下的优异性能，是现代射频模拟电路中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223射频双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BLT81,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLT81,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 300mA，5V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6214-6 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2000 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 8dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 9.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 9.5 V |
| 零件号别名 | BLT81 T/R |
| 频率-跃迁 | 900MHz |
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