【晶体管 - 双极 (BJT) - 射频_BFR193WH6327XTSA1】封装/厂家_BFR193WH6327XTSA1中文资料_价格

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型号： BFR193WH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BFR193WH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR193WH6327XTSA1价格参考。InfineonBFR193WH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3。您可以下载BFR193WH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR193WH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BFR193WH6327XTSA1 是一款高频硅锗碳化物（SiGe:C）射频双极晶体管（BJT），主要用于高性能无线通信系统。该器件具有高增益、低噪声和优良的高频特性，适用于工作频率高达数GHz的应用场景。

典型应用包括：  
- 移动通信基础设施中的低噪声放大器（LNA），如蜂窝基站接收模块；  
- 无线局域网（WLAN）设备，支持5 GHz及以上的频段，用于提高信号接收灵敏度；  
- 汽车雷达与高级驾驶辅助系统（ADAS）中的射频前端电路；  
- 宽带通信系统与点对点微波链路；  
- 物联网（IoT）和工业无线传输模块中对高频率、低功耗有要求的场合。

BFR193WH6327XTSA1采用小型化表面贴装封装（SOT-363），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于需要高频响应与紧凑设计的现代电子设备中。其高截止频率（fT 达25 GHz以上）确保了在GHz级频段下的优异性能，是射频模拟前端设计的理想选择之一。

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