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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BLS2731-50,114
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS2731-50,114由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS2731-50,114价格参考。NXP SemiconductorsBLS2731-50,114封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS2731-50,114参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS2731-50,114 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLS2731-50,114 是一款射频双极晶体管（RF BJT），专为高效率、高功率的射频放大应用设计。该器件主要适用于工业、科学和医疗（ISM）频段，工作频率范围集中在27–31 MHz，典型应用于高频加热、感应加热、射频激励源以及等离子体生成设备等工业加热系统。 BLS2731-50,114 具备高输出功率能力（可达数百瓦）、良好的热稳定性和高增益特性，适合在连续波（CW）或脉冲模式下工作的射频功率放大器中使用。其坚固的封装设计有助于有效散热，提升在高温、高负载环境下的可靠性，因此广泛用于需要长时间稳定运行的工业设备。 此外，该晶体管也适用于射频能量应用，如材料处理、半导体制造中的等离子体刻蚀与沉积设备，以及某些专用通信系统中的射频放大级。由于其优化的射频性能和耐用性，BLS2731-50,114 成为许多高要求工业射频系统中的关键元器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER SOT422A |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS2731-50,114 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 1.5A，5V |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934045770114 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-422A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 4 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 75V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 频率-跃迁 | 3.1GHz |
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