Datasheet下载- 型号： NE85630-T1-R25-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85630-T1-R25-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85630-T1-R25-A价格参考。CELNE85630-T1-R25-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE85630-T1-R25-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85630-T1-R25-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE85630-T1-R25-A的CEL品牌双极射频晶体管（BJT），主要用于射频功率放大和高频信号处理的应用场景。该器件适用于无线通信系统、广播设备以及测试仪器等需要高效射频放大的场合。 具体应用包括蜂窝基站、无线电发射机、微波通信设备及工业控制中的射频模块。其高频率响应和良好线性特性使其适合用于GSM、CDMA、WCDMA等多种通信标准的射频功放电路中。此外，也可应用于雷达、航空电子设备和卫星通信等高端领域。 该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽温度范围内工作，因此也常用于环境条件较为严苛的专业设备中。由于其采用表面贴装封装（如SOT-89形式），便于自动化生产与小型化设计，广泛应用于现代射频电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85630-T1-R25-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 7mA，3V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | 6dB ~ 12dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
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