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Datasheet下载- 型号： BSS138PW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BSS138PW,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138PW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138PW,115价格参考。NXP SemiconductorsBSS138PW,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 320mA (Ta) 260mW (Ta), 830mW (Tc) Surface Mount SC-70。您可以下载BSS138PW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS138PW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS138PW,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET类别，采用SOT-363（SC-70）封装，具有体积小、开关速度快、功耗低等特点。该器件广泛应用于需要高效、紧凑设计的电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源管理、信号切换和负载开关，因其低导通电阻和小封装有助于节省空间并提升能效。 2. 电平转换电路：在I²C、UART等数字通信接口中，实现不同电压域（如1.8V与3.3V或5V系统）之间的信号电平转换，确保数据稳定传输。 3. 开关与驱动应用：用于控制LED、传感器、小型继电器等负载的开启与关闭，适用于低功率驱动场景。 4. 电池供电系统：在蓝牙模块、无线传感器网络和IoT设备中，作为高效率开关元件，延长电池使用寿命。 5. 消费类电子产品：如家用电器控制板、音频设备和USB接口保护电路，提供可靠的信号控制与过流保护功能。 BSS138PW,115凭借其稳定的性能和高可靠性，成为现代电子设计中常用的MOSFET之一，特别适合对尺寸和功耗敏感的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323MOSFET N-CH 60 V 320 mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 320 mA |
| Id-连续漏极电流 | 320 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138PW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138PW,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 260 mW |
| Pd-功率耗散 | 260 mW |
| Qg-GateCharge | 0.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 300mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-10309-6 |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 700 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA |
