Datasheet下载- 型号： SI4884BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4884BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4884BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4884BDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4884BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4884BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4884BDY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型封装（PowerPAK SC-70），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热性能，广泛应用于电池供电系统中的电源管理与负载开关控制。 典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品，用于电池保护电路、电源路径管理及热插拔控制。其小尺寸和高性能使其特别适合需要紧凑设计和高效能的便携设备。此外，SI4884BDY-T1-GE3也常用于DC-DC转换器中的同步整流或作为高端/低端开关，提升电源转换效率。 由于具备良好的稳定性和可靠性，该MOSFET还适用于工业手持设备、医疗仪器及其他低电压、低功耗控制系统中，实现精确的信号或功率开关功能。整体而言，SI4884BDY-T1-GE3是一款面向高密度、高效能需求应用的理想P沟道MOSFET解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4884BDY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1525pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 4.45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.5A （Tc） |
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