Datasheet下载- 型号： IXTA6N50D2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA6N50D2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA6N50D2价格参考。IXYSIXTA6N50D2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA6N50D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA6N50D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA6N50D2是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单FET器件，常用于功率电子应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器，因其高耐压（500V）和良好的导通特性，适合中高功率电源系统。 2. 电机驱动：可用于直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中，提供高效、快速的开关性能。 3. 照明系统：如LED路灯、工业照明等需要恒流驱动或高频调光的场合。 4. 逆变器系统：在UPS不间断电源、太阳能逆变器等设备中作为功率开关使用。 5. 工业自动化与控制：用于PLC输出模块、继电器替代、负载开关等工业控制场景。 该器件具有低导通电阻、高速开关能力及良好热稳定性，适用于要求效率与可靠性的多种功率应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAKMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA6N50D2- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA6N50D2 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 96 nC |
| Qg-栅极电荷 | 96 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 72 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 3A，0V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 2.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | IXTA6N50 |
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