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产品简介:
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HUF76633P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件。该器件常用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率转换应用中。 其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等中的电源模块,实现电压升降压功能。 2. 负载开关与电源管理:用于控制电源通断,如电池供电系统中的开关元件,具备低导通电阻,有助于提高效率。 3. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用。 4. 同步整流器:在开关电源中替代传统二极管进行同步整流,提升效率。 5. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)或其他逆变系统中,作为高频开关元件。 该MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on))、快速开关特性及良好的热稳定性,适合高频与高效能要求较高的应用场合。封装形式为DPAK(TO-252),便于散热与安装。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HUF76633P3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UltraFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1820pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 39A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 145W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 39A (Tc) |