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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F44N100Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F44N100Q3价格参考。IXYSMMIX1F44N100Q3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMIX1F44N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMIX1F44N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的MMIX1F44N100Q3是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管,常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于需要高效能功率控制的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,作为功率开关使用,实现对电机速度和方向的控制。 3. 工业自动化与控制系统:用于工业设备中的功率控制模块,如PLC、伺服驱动器和变频器等。 4. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备中,用于功率调节和能量管理。 5. 家电产品:高端家电如变频空调、电磁炉等中作为功率开关元件,提升能效和稳定性。 该MOSFET适用于高频率开关应用,有助于减小系统体积并提高效率。其高可靠性和耐用性也使其适合在较为严苛的环境中运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 1000V 30AMOSFET HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS MMIX1F44N100Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMIX1F44N100Q3 |
| Qg-GateCharge | 264 nC |
| Qg-栅极电荷 | 264 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 245 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 245 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 264nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 245 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
| 功率-最大值 | 694W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | SMPD-24/21 |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 20 |
| 正向跨导-最小值 | 43 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-hiperfet-power-mosfet-smpd/2526 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
| 系列 | MMIX1F44N100 |