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  • 型号: IPP139N08N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP139N08N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP139N08N3 G价格参考。InfineonIPP139N08N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP139N08N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP139N08N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3MOSFET N-KANAL POWER MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP139N08N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP139N08N3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8a77e3656c2

产品型号

IPP139N08N3 G

Pd-PowerDissipation

79 W

Pd-功率耗散

79 W

Qg-GateCharge

19 nC

Qg-栅极电荷

19 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

13.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.8 V

上升时间

35 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 33µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1730pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.9 毫欧 @ 45A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP139N08N3G
IPP139N08N3GXKSA1
SP000439710
SP000680870

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

79W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

正向跨导-最小值

48 S, 24 S

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

IPP139N08

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPP139N08N3GXKSA1 SP000680870

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