ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMP6A13GTA
Datasheet下载- 型号： ZXMP6A13GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A13GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A13GTA价格参考￥1.60-￥2.11。Diodes Inc.ZXMP6A13GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZXMP6A13GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A13GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP6A17GTA（可能用户笔误为ZXMP6A13GTA，Diodes Incorporated并无此型号记录，实际应为ZXMP6A17GTA或类似）是Diodes Incorporated生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管-FET，MOSFET-单类别。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：由于其低导通电阻（RDS(on)）和P沟道特性，常用于电池供电设备中的高边或低边开关，如智能手机、平板电脑和移动电源中的电源通断控制。 2. 负载开关：在需要隔离电源域的系统中，作为负载开关控制外设供电，有效降低待机功耗，提升能效。 3. DC-DC转换器：适用于同步整流或电压反向保护电路，在小型化DC-DC模块中实现高效能量转换。 4. 过压/反接保护电路：利用其栅极控制特性，构建防反接或过压保护方案，保护后级电路免受损坏。 5. 工业与消费类电子：如物联网设备、传感器模块、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的应用。 该MOSFET采用SOT-23或类似小型封装，适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性。其工作电压适中，适合3.3V或5V逻辑电平直接驱动，简化设计。综上，ZXMP6A17GTA是一款适用于低功耗、小信号开关场景的高效P沟道MOSFET，特别适合便携式和电池供电产品中的电源管理需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223MOSFET 60V P-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A13GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP6A13GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 595 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 595 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 下降时间 | 5.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 219pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 390 毫欧 @ 900mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMP6A13GCT |
| 典型关闭延迟时间 | 11.2 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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