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  • 型号: IRFH5306TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5306TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5306TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5306TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH5306TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5306TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRFH5306TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件,广泛应用于需要高效能开关和电源管理的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流电路及电压调节模块(VRM),适用于服务器、笔记本电脑和通信设备中的高效电源系统。

2. 电机驱动:在工业控制、电动工具、家用电器等领域的电机驱动电路中,IRFH5306TRPBF可实现快速开关与低功耗运行,提高整体效率。

3. 照明系统:用于LED驱动电源,特别是在高亮度LED照明或汽车照明中,提供稳定可靠的开关性能。

4. 消费电子:如智能手机充电器、平板电源适配器等便携式设备的电源转换模块,因其小型封装(TSOP-6)和高效率特性而受到青睐。

5. 汽车电子:在车载电源系统、车身控制模块(如车灯控制、风扇驱动)中也有应用,满足汽车级可靠性要求。

该器件具有低栅极电荷、低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,有助于减少能量损耗和发热,提升系统能效。同时,采用环保无铅封装,符合RoHS标准,适合对环保和空间有要求的设计。总体而言,IRFH5306TRPBF是一款适用于中高功率开关应用的可靠MOSFET,广泛服务于工业、消费和汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFNMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

44 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5306TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFH5306TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

26 W

Pd-功率耗散

26 W

Qg-GateCharge

7.8 nC

Qg-栅极电荷

7.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1125pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.1 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)单芯片焊盘

功率-最大值

3.6W

功率耗散

26 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

导通电阻

13.3 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

7.8 nC

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

45 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Ta), 44A (Tc)

闸/源击穿电压

20 V

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