ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI3438DV-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI3438DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3438DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3438DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3438DV-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 7.4A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP。您可以下载SI3438DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3438DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3438DV-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET适用于降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）等DC-DC转换器。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低导通损耗，提高转换效率。 - 开关电源（SMPS）：在开关电源中，MOSFET作为主开关器件，控制电流的通断。SI3438DV-T1-GE3的快速开关特性和低导通电阻有助于减少能量损失，提升电源的整体性能。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：在电机驱动应用中，MOSFET用于控制电机绕组的电流流向。SI3438DV-T1-GE3的低导通电阻和高开关速度使其适合用于高效驱动小型电机，如无人机、电动工具等。 - 步进电机驱动：在步进电机驱动电路中，MOSFET用于控制电流的精确分配，确保电机平稳运行。该器件的低功耗特性有助于延长电池寿命。 3. 负载切换与保护 - 负载开关：在便携式设备中，MOSFET常用于实现负载的快速通断控制。SI3438DV-T1-GE3的低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合用于手机、平板电脑等设备中的负载开关。 - 过流保护：通过检测MOSFET的漏源电压（Vds），可以实现对负载电流的实时监控，防止过流损坏其他元件。 4. 音频放大器 - D类音频放大器：在D类音频放大器中，MOSFET作为开关元件，负责将输入信号转换为高频脉宽调制（PWM）信号。SI3438DV-T1-GE3的快速开关特性和低导通电阻有助于减少失真，提供高质量的音频输出。 5. 太阳能逆变器 - 在太阳能逆变器中，MOSFET用于将直流电转换为交流电。SI3438DV-T1-GE3的高效开关特性有助于提高逆变器的转换效率，减少能量损失。 总的来说，SI3438DV-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关速度和紧凑的封装尺寸，广泛应用于各种高效、低功耗的电子设备中，特别适合需要频繁开关操作的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOPMOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68393 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3438DV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3438DV-T1-GE3SI3438DV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3438DV-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3438DV-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
