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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9024TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9024TRPBF价格参考¥询价-¥询价。VishayIRFR9024TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR9024TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9024TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9024TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRFR9024TRPBF常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器中,作为开关元件来控制电流的通断,实现高效的电压转换和稳定输出。 2. 电机驱动:在小型电机控制系统中,该MOSFET可以用于驱动直流电机或步进电机,通过PWM(脉宽调制)信号调节电机的速度和方向,适用于家电、电动工具和自动化设备等领域。 3. 负载切换:在汽车电子和工业控制系统中,IRFR9024TRPBF可以用作负载开关,快速切断或接通电路中的大电流负载,保护电路免受过载和短路的影响。 4. 电池管理系统:它还可以用于锂电池保护板等电池管理系统中,起到充放电控制的作用,确保电池的安全运行并延长使用寿命。 5. 通信设备:在无线通信基站和其他通信设备中,该MOSFET可用于射频功率放大器的偏置电路,提供稳定的直流偏置电压,保证放大器正常工作。 6. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和平板电视等消费电子产品中,IRFR9024TRPBF可以用于背光驱动、音频放大器和其他需要高效开关控制的电路部分。 总之,由于其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,IRFR9024TRPBF在众多领域都有广泛应用,特别是在对效率和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAKMOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9024TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9024TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 5.3A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR9024TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.8A (Tc) |
| 系列 | IRF/SIHFx9024 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |