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VNS3NV04DPTR-E产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VNS3NV04DPTR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNS3NV04DPTR-E价格参考。STMicroelectronicsVNS3NV04DPTR-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 3.5A 8-SO。您可以下载VNS3NV04DPTR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNS3NV04DPTR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的VNS3NV04DPTR-E是一款单通道低边智能功率开关,属于PMIC配电开关和负载驱动器类别。该器件基于先进的STripFET™ V技术,具有40V额定电压和可持续承载3.6A电流的能力,适用于驱动电阻性和小感性负载。 典型应用场景包括工业自动化、消费电子和汽车电子系统中的负载控制。例如,可用于控制继电器、LED灯、小型电机、加热元件和其他12V或24V直流负载。其集成的保护功能(如过流保护、过温关断和短路保护)提高了系统可靠性,减少了对外部保护元件的需求。 该器件采用紧凑的PowerSSO-36封装,具备良好的散热性能,适合空间受限的应用。此外,它支持PWM调光或调速控制,可实现精确的负载管理。开漏故障指示输出便于系统实时监控工作状态,提升整体安全性。 VNS3NV04DPTR-E还具备逻辑电平兼容输入,可直接与微控制器、DSP或FPGA等低压控制信号接口连接,简化了设计复杂度。由于其高集成度和高可靠性,广泛应用于智能家居设备、工业I/O模块、楼宇自动化及轻型电动车控制系统中。 总之,该芯片适用于需要高效、安全、紧凑型负载驱动解决方案的多种中低功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC门驱动器 OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,STMicroelectronics VNS3NV04DPTR-EOMNIFET II™, VIPower™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VNS3NV04DPTR-E |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-13078-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF245952?referrer=70071840 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 120 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 5A |
| 电流-输出/通道 | 3.5A |
| 电源电压-最大 | 55 V |
| 电源电压-最小 | 40 V |
| 电源电流 | 100 uA |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | VNS3NV04DP-E |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |