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  • 型号: BUK9675-100A,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9675-100A,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9675-100A,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9675-100A,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9675-100A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9675-100A,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK9675-100A,118 是一款高性能N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于需要高效、低损耗功率开关的场景。该器件具有100V漏源击穿电压和较低的导通电阻(RDS(on)),在高电流条件下仍能保持优异的能效表现,适合用于电源管理和功率转换系统。

典型应用场景包括:  
1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等消费电子产品的AC-DC电源设计中,提升转换效率并降低发热。  
2. DC-DC转换器:在服务器、通信设备和工业电源中作为同步整流或开关元件,提高功率密度和系统稳定性。  
3. 电机驱动:适用于电动工具、家用电器和小型工业电机控制,实现高效启停与调速。  
4. LED照明驱动:在大功率LED电源模块中作为开关元件,支持恒流输出和节能运行。  
5. 汽车电子系统:如车载充电器、车身控制模块等,其高可靠性满足汽车级应用要求。

BUK9675-100A,118采用成熟封装技术(如TO-220或D2PAK),具备良好的热性能和电气稳定性,适合自动化贴装,广泛用于工业、消费电子及汽车领域。其低栅极电荷和快速开关特性有助于减少开关损耗,提升整体系统能效。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 23A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

23 A

Id-连续漏极电流

23 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9675-100A,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK9675-100A,118

Pd-PowerDissipation

98 W

Pd-功率耗散

98 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

72 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

72 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

上升时间

120 ns

下降时间

57 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1704pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

72 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9688-6

典型关闭延迟时间

58 ns

功率-最大值

98W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

SOT-404-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK9675-100A

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