Datasheet下载- 型号： FQB5N60CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N60CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N60CTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具备5A连续漏极电流能力和600V的漏源击穿电压，适用于多种电力电子变换装置。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛应用于各类AC/DC和DC/DC转换器中，作为主开关元件，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关和低导通损耗。 3. 照明系统：如LED驱动电源中，用于恒流控制电路，提升能效和稳定性。 4. 工业自动化设备：在工业控制模块、逆变器和不间断电源（UPS）系统中，用于功率调节和开关控制。 5. 消费电子产品：如电视电源、充电器、适配器等，满足小型化与高效率设计需求。 该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的热性能和较小的封装体积，适合表面贴装，适用于中高功率密度设计。其内置快速恢复二极管（FRED）特性，有助于减少开关损耗并提升系统效率。 综上，FQB5N60CTM适用于对效率、可靠性及空间布局有要求的中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N60CTM |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQB5N60CTM 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商