ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2301BDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2301BDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2301BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2301BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2301BDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2301BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2301BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2301BDS-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于低电压、低功耗的开关应用。该器件采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式电子设备。 其典型应用场景包括：便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关；电池供电系统中的极性保护和反向电流阻断；各类小型电子设备中的信号切换和电源通断控制。由于其低导通电阻（Rds(on)）和较低的栅极电荷，SI2301BDS-T1-GE3 在开关效率方面表现优异，有助于降低功耗，提升能效。 此外，该MOSFET也广泛应用于DC-DC转换器、LED驱动电路、电机驱动中的低端开关以及各类消费类电子产品的接口保护电路中。其稳定的性能和高可靠性使其在工业控制、通信模块和家电控制板中也有广泛应用。 总之，SI2301BDS-T1-GE3 凭借小封装、低功耗和良好的电气特性，特别适用于对空间和能效要求较高的现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72066 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2301BDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2301BDS-T1-GE3SI2301BDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 375pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2301BDS-GE3 |
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