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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75329D3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75329D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75329D3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF75329D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75329D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75329D3是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK封装,具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理场景。 典型应用场景包括:开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器,适用于适配器、充电器和工业电源模块;电机驱动电路,用于家用电器、电动工具及小型工业设备中的直流电机控制;LED照明驱动电源,因其低损耗特性有助于提高系统能效;此外,还适用于过流保护电路和热插拔电源设计。 HUF75329D3具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,适合在较宽温度范围内稳定工作,因此也常见于汽车电子系统,如车载电源模块和车身控制单元。其快速开关响应能力使其在高频工作环境下仍能保持较低的功耗,提升整体系统效率。 综上,HUF75329D3适用于对效率、可靠性要求较高的中低功率电源与控制应用,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75329D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |