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型号： FDP24N40
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDP24N40产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP24N40由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP24N40价格参考￥12.12-￥13.03。Fairchild SemiconductorFDP24N40封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 400V 24A（Tc） 227W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP24N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP24N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP24N40 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于高功率开关应用。其主要应用场景包括：

1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS），适用于需要高效能和低导通损耗的场合。

2. 电机控制：广泛应用于电机驱动器、电动车控制器及工业自动化系统中，作为高速开关元件使用。

3. 逆变器系统：在UPS不间断电源、太阳能逆变器等系统中，FDP24N40可用于实现直流电到交流电的高效转换。

4. 照明系统：如LED路灯或大功率照明设备中的恒流驱动电路。

5. 汽车电子：用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及其他高电流负载控制。

该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（400V）和大电流承载能力（24A），适合高频开关操作，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于工业、通信和消费类电子产品中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 400V 24A TO-220MOSFET 400V N-Channel
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	24 A
Id-连续漏极电流	24 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP24N40UniFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDP24N40
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	227 W
Pd-功率耗散	227 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	175 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	175 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	400 V
Vds-漏源极击穿电压	400 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	90 ns
下降时间	65 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	175 毫欧 @ 12A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	110 ns
功率-最大值	227W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	400V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	24A （Tc）
系列	FDP24N40
通道模式	Enhancement
配置	Single