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Datasheet下载- 型号： SI5499DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI5499DC-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5499DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5499DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5499DC-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 8V 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.2W（Tc） 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5499DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5499DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5499DC-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于对效率和可靠性要求较高的系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池供电设备中的功率开关，提高能效并减少发热。 2. 负载开关：在服务器、笔记本电脑、移动设备等电子产品中作为高边或低边开关，控制电源的通断。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机、电磁阀等感性负载的控制，具备一定的抗冲击能力。 4. 保护电路：如过流保护、反向电压保护电路中，作为可控开关元件使用。 5. 工业控制系统：在 PLC、传感器模块、工业自动化设备中实现高效的功率控制。 该 MOSFET 采用小型封装（如 TSOP），适合空间受限的设计，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI5499DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1290pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5499DC-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 6.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
