ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STD13NM60ND
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STD13NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD13NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD13NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTD13NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 109W(Tc) DPAK。您可以下载STD13NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD13NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD13NM60ND是一款N沟道MOSFET晶体管,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - STD13NM60ND具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(600V),非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开断,适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可以用作功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压特性使其适合高压电机应用。 3. 逆变器 - 该器件可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为高频开关元件,将直流电转换为交流电,满足家庭或工业用电需求。 4. 电源管理 - 在各种电源管理系统中,如电池充电器、不间断电源(UPS)等,STD13NM60ND可以用于负载切换和保护电路,确保系统的稳定运行。 5. 电磁兼容性(EMC)滤波 - 在需要高压隔离的应用中,这款MOSFET可以用作滤波电路中的开关元件,帮助抑制电磁干扰。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中,该MOSFET可用于固态继电器(SSR)或可编程逻辑控制器(PLC)的输出级,实现对负载的精确控制。 7. 家电与消费电子 - 在家用电器(如空调、冰箱、洗衣机等)中,STD13NM60ND可用于压缩机驱动、风扇控制等场景,提供高效的功率转换和控制。 8. 电动汽车与电动工具 - 在低压电动车、电动自行车或电动工具中,该MOSFET可以用作主功率开关,支持高效的能量传输和控制。 总结 STD13NM60ND凭借其高耐压(600V)、低导通电阻(典型值为0.36Ω)和快速开关能力,广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。其具体应用场景取决于系统设计的需求,但主要集中在电力电子、电机驱动和电源管理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAKMOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD13NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD13NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 109 W |
| Pd-功率耗散 | 109 W |
| Qg-GateCharge | 24.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 15.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 845pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 497-13863-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 109W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 380 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 系列 | STD13NM60ND |
| 配置 | Single |