Datasheet下载- 型号： FQP8P10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP8P10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP8P10价格参考。Fairchild SemiconductorFQP8P10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP8P10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP8P10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP8P10 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：FQP8P10 可用于开关电源中的功率开关，实现高效的电压转换和调节。 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)：适用于降压或升压电路，提供稳定的输出电压。 - 负载开关：用于控制电路中不同负载的通断，确保系统运行稳定。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于低功耗、小尺寸的电机驱动应用，例如玩具、风扇等。 - H 桥电路：在双方向电机控制中，FQP8P10 可作为 H 桥的一部分，实现正转和反转功能。 3. 电池管理 - 电池保护电路：用于锂离子电池或其他可充电电池的充放电保护，防止过流、短路等问题。 - 电池切换：在多电池系统中，用作电池切换开关，确保系统始终使用合适的电池供电。 4. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，FQP8P10 可用于信号路径的选择和切换。 - 数据线路保护：用于保护 USB 或其他通信接口免受过流或静电损害。 5. 汽车电子 - 车灯控制：用于控制车内或外部 LED 灯的开关。 - 辅助电子设备：如电动车窗、后视镜加热等功能模块的电源控制。 6. 消费类电子产品 - 便携式设备：如移动电源、蓝牙音箱等，FQP8P10 提供高效的功率开关功能。 - 智能家居设备：用于智能插座、智能灯泡等产品的电源管理和控制。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：在低电压条件下提供高效率，减少功率损耗。 - 高电流能力：支持高达 8A 的连续漏极电流，适合多种功率应用。 - 宽工作电压范围：耐压值为 100V，适用于多种电压等级的电路。 综上所述，FQP8P10 广泛应用于需要高效功率开关和低功耗的场景，特别是在中小功率的电源管理和电机驱动领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 8A TO-220MOSFET 100V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP8P10QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP8P10 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 530 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 530 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 530 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | FQP8P10-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 530 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 系列 | FQP8P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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