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Datasheet下载- 型号： STB7N52K3
- 制造商： STMicroelectronics
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STB7N52K3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB7N52K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB7N52K3价格参考。STMicroelectronicsSTB7N52K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 525V 6A（Tc） 90W（Tc） D2PAK。您可以下载STB7N52K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB7N52K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB7N52K3是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高压、大电流应用器件，广泛应用于多种电源和功率控制场景。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：STB7N52K3具备高耐压（520V）和良好的导通特性，适用于AC-DC转换器中的主开关元件，常见于电视、显示器、适配器和工业电源等设备中。 2. 照明系统：在电子镇流器和LED驱动电源中，该MOSFET可用于高频开关操作，提升能效并减小体积，适用于节能灯、荧光灯及大功率LED照明方案。 3. 电机驱动：用于小型家电或工业控制中的直流电机或步进电机驱动电路，实现高效、低损耗的功率切换。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为核心开关器件，承担直流到交流的转换任务，具有良好的热稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品：如打印机、复印机等办公设备中的电源模块，利用其高效率和紧凑设计优势。 STB7N52K3采用TO-220或I2PAK封装，具备优良的散热性能和坚固的工艺结构，适合在较恶劣环境下长期运行。同时，其较低的栅极电荷和导通电阻有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。因此，该器件特别适用于需要高可靠性与高能效结合的中等功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB7N52K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 737pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 980 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10023-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF216801?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q7096737/497-8014-KIT-ND/3479580 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 525V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
