STD11NM50N N-channel 500 V, 0.40 Ω typ., 8.5 A MDmesh™ II Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V @ T max R max I DS J DS(on) D (cid:55)(cid:36)(cid:37) STD11NM50N 550 V 0.47 Ω 8.5 A • 100% avalanche tested (cid:21) (cid:22) • Low input capacitance and gate charge (cid:20) • Low gate input resistance (cid:39)(cid:51)(cid:36)(cid:46) Applications Figure 1. Internal schematic diagram • Switching applications Description (cid:39)(cid:11)(cid:21)(cid:15)(cid:3)(cid:55)(cid:36)(cid:37)(cid:12) This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the (cid:42)(cid:11)(cid:20)(cid:12) company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. (cid:54)(cid:11)(cid:22)(cid:12) (cid:54)(cid:38)(cid:19)(cid:25)(cid:20)(cid:23)(cid:19) Table 1. Device summary Order code Marking Package Packaging STD11NM50N 11NM50N DPAK Tape and reel November 2015 DocID028674 Rev 1 1/15 This is information on a product in full production. www.st.com

Contents STD11NM50N Contents 1 Electrical ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 2.1 Electrical characteristics (curves) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3 Test circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 4 Package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 4.1 DPAK type A package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 4.2 DPAK type E package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 5 Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 2/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N Electrical ratings 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit V Drain-source voltage 500 V DS V Gate-source voltage ± 25 V GS I Drain current (continuous) at T = 25 °C 8.5 A D C I Drain current (continuous) at T = 100 °C 6 A D C I (1) Drain current (pulsed) 34 A DM P Total dissipation at T = 25 °C 70 W TOT C dv/dt (2) Peak diode recovery voltage slope 15 V/ns T Storage temperature - 55 to 150 °C stg T Max. operating junction temperature 150 °C j 1. Pulse width limited by safe operating area . 2. I ≤ 8.5 A, di/dt ≤ 400 A/µs, V ≤ V V = 80% V SD DSpeak (BR)DSS, DD (BR)DSS Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit R Thermal resistance junction-case max 1.79 °C/W thj-case R Thermal resistance junction-pcb max(1) 50 °C/W thj-pcb 1. When mounted on 1inch² FR-4 board, 2 oz Cu Table 4. Avalanche characteristics Symbol Parameter Value Unit Avalanche current, repetitive or not-repetitive I 3 A AR (pulse width limited by T ) j max Single pulse avalanche energy E 150 mJ AS (starting T =25 °C, I =I , V =50 V) J D AR DD DocID028674 Rev 1 3/15 15

Electrical characteristics STD11NM50N 2 Electrical characteristics (T = 25 °C unless otherwise specified) CASE Table 5. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Drain-source V I = 1 mA, V = 0 500 V (BR)DSS breakdown voltage D GS Zero gate voltage V = 500 V 1 µA I DS DSS drain current (V = 0) V = 500 V, T = 125 °C 100 µA GS DS C Gate-body leakage I V = ± 25 V ±100 µA GSS current (V = 0) GS DS V Gate threshold voltage V = V , I = 250 µA 2 3 4 V GS(th) DS GS D Static drain-source on- R V = 10 V, I = 4.5 A 0.40 0.47 Ω DS(on) resistance GS D Table 6. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit C Input capacitance - 547 - pF iss Coss Output capacitance VDS = 50 V, f = 1 MHz, - 42 - pF V = 0 Reverse transfer GS C - 2 - pF rss capacitance Equivalent output C (1) V = 0, V = 0 to 400 V - 210 - pF oss eq. capacitance GS DS Q Total gate charge - 19 - nC g V = 400 V, I = 8.5 A, Q Gate-source charge DD D - 3.7 - nC gs V = 10 V (see Figure14) GS Q Gate-drain charge - 10 - nC gd R Gate input resistance f=1 MHz, I =0 - 5.8 - Ω G D 1. C is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C when V oss eq. oss DS increases from 0 to 80% V DS 4/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N Electrical characteristics Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit t Turn-on delay time - 8 - ns d(on) V = 250 V, I = 4.25 A DD D tr Rise time RG=4.7 Ω VGS = 10 V - 10 - ns t Turn-off delay time (see Figure15 and - 33 - ns d(off) Figure18) t Fall time - 10 - ns f Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I Source-drain current 8.5 A SD - I (1) Source-drain current (pulsed) 34 A SDM V (2) Forward on voltage I = 8.5 A, V = 0 - 1.5 V SD SD GS t Reverse recovery time - 230 ns rr I = 8.5 A, di/dt = 100 SD Q Reverse recovery charge A/µs - 2.1 µC rr V = 60 V (see Figure15) I Reverse recovery current DD - 18 A RRM t Reverse recovery time I = 8.5 A, di/dt = 100 - 275 ns rr SD A/µs Q Reverse recovery charge - 2.5 µC rr V = 60 V, T = 150 °C DD j I Reverse recovery current (see Figure15) - 18 A RRM 1. Pulse width limited by safe operating area. 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% DocID028674 Rev 1 5/15 15

Electrical characteristics STD11NM50N 2.1 Electrical characteristics (curves) Figure 2. Safe operating area Figure 3. Thermal impedance (cid:44)(cid:3) (cid:3) (cid:42)(cid:44)(cid:51)(cid:42)(cid:21)(cid:23)(cid:20)(cid:20)(cid:21)(cid:19)(cid:20)(cid:24)(cid:20)(cid:20)(cid:20)(cid:19)(cid:54)(cid:50)(cid:36) (cid:46) (cid:42)(cid:38)(cid:21)(cid:19)(cid:23)(cid:25)(cid:19) (cid:39) (cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:50)(cid:83)(cid:72)(cid:85)(cid:68)(cid:87)(cid:76)(cid:82)(cid:81)(cid:3)(cid:76)(cid:81)(cid:3)(cid:87)(cid:75)(cid:76)(cid:86)(cid:3)(cid:68)(cid:85)(cid:72)(cid:68)(cid:3)(cid:76)(cid:86) (cid:79)(cid:76)(cid:80)(cid:76)(cid:87)(cid:72)(cid:71)(cid:3)(cid:69)(cid:92)(cid:3)(cid:53)(cid:3)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:82)(cid:81)(cid:12) (cid:87)(cid:3)(cid:32)(cid:20)(cid:3)(cid:151)(cid:86) (cid:83) (cid:87)(cid:3)(cid:32)(cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:151)(cid:86) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:20) (cid:83) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:303)(cid:32)(cid:19)(cid:17)(cid:24) (cid:87)(cid:3)(cid:32)(cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:3)(cid:151)(cid:86) (cid:19)(cid:17)(cid:21) (cid:83) (cid:19)(cid:17)(cid:20) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:20) (cid:61)(cid:87)(cid:75)(cid:32)(cid:3)(cid:46)(cid:13)(cid:53)(cid:87)(cid:75)(cid:45)(cid:16)(cid:70) (cid:87)(cid:3)(cid:83)(cid:32)(cid:20)(cid:3)(cid:80)(cid:86) (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:24) (cid:303)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:87)(cid:83)(cid:18)(cid:1000) (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:21) (cid:55)(cid:3)(cid:77)(cid:3)(cid:148)(cid:20)(cid:24)(cid:19)(cid:3)(cid:131)(cid:38) (cid:87)(cid:3)(cid:83)(cid:32)(cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:80)(cid:86) (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:20) (cid:86)(cid:76)(cid:55)(cid:81)(cid:3)(cid:74)(cid:70)(cid:3)(cid:79)(cid:72)(cid:32)(cid:3)(cid:3)(cid:83)(cid:21)(cid:88)(cid:24)(cid:79)(cid:131)(cid:86)(cid:38)(cid:72) (cid:54)(cid:76)(cid:81)(cid:74)(cid:79)(cid:72)(cid:3)(cid:83)(cid:88)(cid:79)(cid:86)(cid:72) (cid:87)(cid:83)(cid:1000) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:16)(cid:20) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:21) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:16)(cid:20) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:20) (cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:21) (cid:57)(cid:3)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:57)(cid:12) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:23) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:22) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:21) (cid:20)(cid:19)(cid:16)(cid:20) (cid:87)(cid:83)(cid:11)(cid:86)(cid:12) Figure 4. Output characteristics Figure 5. Transfer characteristics (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:19)(cid:89)(cid:20) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:20)(cid:89)(cid:20) (cid:44)(cid:39)(cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:44)(cid:39)(cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:20)(cid:25) (cid:57)(cid:42)(cid:54)(cid:32)(cid:20)(cid:19)(cid:57) (cid:20)(cid:25) (cid:57)(cid:39)(cid:54)(cid:32)(cid:21)(cid:19)(cid:57) (cid:20)(cid:23) (cid:20)(cid:23) (cid:25)(cid:57) (cid:20)(cid:21) (cid:20)(cid:21) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:27) (cid:27) (cid:25) (cid:25) (cid:24)(cid:57) (cid:23) (cid:23) (cid:21) (cid:21) (cid:19) (cid:19) (cid:19) (cid:24) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:24) (cid:21)(cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:22)(cid:19) (cid:57)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:57)(cid:12) (cid:19) (cid:21) (cid:23) (cid:25) (cid:27) (cid:20)(cid:19) (cid:57)(cid:42)(cid:54)(cid:11)(cid:57)(cid:12) Figure 6. Gate charge vs gate-source voltage Figure 7. Static drain-source on-resistance (cid:57)(cid:42)(cid:54) (cid:36)(cid:48)(cid:57)(cid:19)(cid:39)(cid:25)(cid:23)(cid:54)(cid:22)(cid:11)(cid:21)(cid:57)(cid:89)(cid:12)(cid:20) (cid:53)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:82)(cid:81)(cid:12) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:22)(cid:89)(cid:20) (cid:11)(cid:57)(cid:12) (cid:57)(cid:39)(cid:54) (cid:11)(cid:50)(cid:75)(cid:80)(cid:12) (cid:57)(cid:39)(cid:39)(cid:32)(cid:23)(cid:19)(cid:19)(cid:57) (cid:23)(cid:19)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:23)(cid:21)(cid:19) (cid:57)(cid:42)(cid:54)(cid:32)(cid:20)(cid:19)(cid:57) (cid:20)(cid:21) (cid:44)(cid:39)(cid:32)(cid:27)(cid:17)(cid:24)(cid:36) (cid:19)(cid:17)(cid:23)(cid:20)(cid:24) (cid:22)(cid:24)(cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:23)(cid:20)(cid:19) (cid:22)(cid:19)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:23)(cid:19)(cid:24) (cid:27) (cid:21)(cid:24)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:23)(cid:19)(cid:19) (cid:21)(cid:19)(cid:19) (cid:25) (cid:19)(cid:17)(cid:22)(cid:28)(cid:24) (cid:20)(cid:24)(cid:19) (cid:23) (cid:19)(cid:17)(cid:22)(cid:28)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:22)(cid:27)(cid:24) (cid:21) (cid:24)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:22)(cid:27)(cid:19) (cid:19) (cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:22)(cid:26)(cid:24) (cid:19) (cid:24) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:24) (cid:21)(cid:19) (cid:52)(cid:74)(cid:11)(cid:81)(cid:38)(cid:12) (cid:19) (cid:21) (cid:23) (cid:25) (cid:27) (cid:44)(cid:39)(cid:11)(cid:36)(cid:12) 6/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N Electrical characteristics Figure 8. Capacitance variations Figure 9. Output capacitance stored energy (cid:38) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:24)(cid:89)(cid:20) (cid:40)(cid:82)(cid:86)(cid:86) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:24)(cid:89)(cid:20) (cid:11)(cid:83)(cid:41)(cid:12) (cid:11)(cid:151)(cid:45)(cid:12) (cid:22)(cid:17)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) (cid:38)(cid:76)(cid:86)(cid:86) (cid:21)(cid:17)(cid:24) (cid:21)(cid:17)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:73)(cid:32)(cid:3)(cid:20)(cid:48)(cid:43)(cid:93) (cid:20)(cid:17)(cid:24) (cid:38)(cid:82)(cid:86)(cid:86) (cid:20)(cid:17)(cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:24) (cid:38)(cid:85)(cid:86)(cid:86) (cid:20) (cid:19) (cid:19) (cid:20) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:57)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:57)(cid:12) (cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:21)(cid:19)(cid:19) (cid:22)(cid:19)(cid:19) (cid:23)(cid:19)(cid:19) (cid:24)(cid:19)(cid:19) (cid:57)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:57)(cid:12) Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs Figure 11. Normalized on-resistance vs temperature temperature (cid:57)(cid:42)(cid:54)(cid:11)(cid:87)(cid:75)(cid:12) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:25)(cid:89)(cid:20) (cid:53)(cid:39)(cid:54)(cid:11)(cid:82)(cid:81)(cid:12) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:26)(cid:89)(cid:20) (cid:11)(cid:81)(cid:82)(cid:85)(cid:80)(cid:12) (cid:44)(cid:39)(cid:32)(cid:21)(cid:24)(cid:19)(cid:151)(cid:36) (cid:11)(cid:81)(cid:82)(cid:85)(cid:80)(cid:12) (cid:20)(cid:17)(cid:20)(cid:19) (cid:21)(cid:17)(cid:20) (cid:44)(cid:39)(cid:32)(cid:23)(cid:17)(cid:24)(cid:36) (cid:57)(cid:39)(cid:54)(cid:32)(cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:57) (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:17)(cid:26) (cid:19)(cid:17)(cid:28)(cid:19) (cid:20)(cid:17)(cid:22) (cid:19)(cid:17)(cid:27)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:28) (cid:19)(cid:17)(cid:26)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:24) (cid:16)(cid:24)(cid:19) (cid:16)(cid:21)(cid:24) (cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:55)(cid:45)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) (cid:16)(cid:24)(cid:19) (cid:16)(cid:21)(cid:24) (cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:55)(cid:45)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) Figure 12. N ormalized V vs temperature (BR)DSS (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:25)(cid:23)(cid:22)(cid:28)(cid:89)(cid:20) (cid:57)(cid:11)(cid:37)(cid:53)(cid:12)(cid:39)(cid:54)(cid:54) (cid:11)(cid:81)(cid:82)(cid:85)(cid:80)(cid:12) (cid:44)(cid:39)(cid:32)(cid:20)(cid:80)(cid:36) (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:26) (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:24) (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:22) (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:20) (cid:19)(cid:17)(cid:28)(cid:28) (cid:19)(cid:17)(cid:28)(cid:26) (cid:19)(cid:17)(cid:28)(cid:24) (cid:19)(cid:17)(cid:28)(cid:22) (cid:16)(cid:24)(cid:19) (cid:16)(cid:21)(cid:24) (cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:55)(cid:45)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) DocID028674 Rev 1 7/15 15

Test circuits STD11NM50N 3 Test circuits Figure 1 3 . Test circuit for resistive load Figure 14. Test circuit for gate charge behavior switching times (cid:57) (cid:39)(cid:39) (cid:20)(cid:21)(cid:57) (cid:23)(cid:26)(cid:78)(cid:525) (cid:20)(cid:78)(cid:525) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:81)(cid:41) RL 2μ20F0 3μ.F3 VDD (cid:44) (cid:32)(cid:38)(cid:50)(cid:49)(cid:54)(cid:55) VD (cid:57)(cid:32)(cid:21)(cid:19)(cid:57)(cid:32)(cid:57) (cid:42) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:525) (cid:39)(cid:17)(cid:56)(cid:17)(cid:55)(cid:17) VGS (cid:76) (cid:42)(cid:48)(cid:36)(cid:59) RG D.U.T. (cid:21)(cid:151)(cid:21)(cid:41)(cid:19)(cid:19) (cid:21)(cid:17)(cid:26)(cid:78)(cid:525) (cid:57) (cid:42) PW (cid:23)(cid:26)(cid:78)(cid:525) (cid:20)(cid:78)(cid:525) (cid:51)(cid:58) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:20)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:89)(cid:20) AM01468v1 Figure 15. Test circuit for inductive load Figure 16. Unclamped inductive load test circuit switching and diode recovery times L A A A D FAST L=100μH VD G D.U.T. DIODE 2200 3.3 μF μF VDD S B 3.3 1000 B B μF μF 25Ω D VDD ID G RG S Vi D.U.T. Pw AM01470v1 AM01471v1 Figure 17. Unclamped inductive waveform Figure 18. Switching time waveform (cid:57) (cid:11)(cid:37)(cid:53)(cid:12)(cid:39)(cid:54)(cid:54) (cid:87) (cid:87) (cid:82)(cid:81) (cid:82)(cid:73)(cid:73) (cid:57) (cid:39) (cid:87) (cid:87) (cid:87) (cid:87) (cid:71)(cid:11)(cid:82)(cid:81)(cid:12) (cid:85) (cid:71)(cid:11)(cid:82)(cid:73)(cid:73)(cid:12) (cid:73) (cid:28)(cid:19)(cid:8) (cid:28)(cid:19)(cid:8) (cid:44) (cid:39)(cid:48) (cid:20)(cid:19)(cid:8) (cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:8) (cid:57)(cid:39)(cid:54) (cid:44) (cid:39) (cid:57)(cid:39)(cid:39) (cid:57)(cid:39)(cid:39) (cid:57) (cid:28)(cid:19)(cid:8) (cid:42)(cid:54) (cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:8) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:20)(cid:23)(cid:26)(cid:21)(cid:89)(cid:20) (cid:36)(cid:48)(cid:19)(cid:20)(cid:23)(cid:26)(cid:22)(cid:89)(cid:20) 8/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N Package information 4 Package information In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of ECOPACK® packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK® specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com. ECOPACK is an ST trademark. 4.1 DPAK type A package information Figure 19. DPAK (TO-252) type A package outline (cid:19)(cid:19)(cid:25)(cid:27)(cid:26)(cid:26)(cid:21)(cid:66)(cid:36)(cid:66)(cid:21)(cid:19) DocID028674 Rev 1 9/15 15

Package information STD11NM50N Table 9. DPAK (TO-252) type A mechanical data mm Dim. Min. Typ. Max. A 2.20 2.40 A1 0.90 1.10 A2 0.03 0.23 b 0.64 0.90 b4 5.20 5.40 c 0.45 0.60 c2 0.48 0.60 D 6.00 6.20 D1 4.95 5.10 5.25 E 6.40 6.60 E1 4.60 4.70 4.80 e 2.16 2.28 2.40 e1 4.40 4.60 H 9.35 10.10 L 1.00 1.50 (L1) 2.60 2.80 3.00 L2 0.65 0.80 0.95 L4 0.60 1.00 R 0.20 V2 0° 8° 10/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N Package information 4.2 DPAK type E package information Figure 20. DPAK (TO-252) type E outline (cid:19)(cid:19)(cid:25)(cid:27)(cid:26)(cid:26)(cid:21)(cid:66)(cid:87)(cid:92)(cid:83)(cid:72)(cid:16)(cid:40)(cid:66)(cid:85)(cid:72)(cid:89)(cid:20)(cid:28) DocID028674 Rev 1 11/15 15

Package information STD11NM50N Table 10. DPAK (TO-252) type E mechanical data mm Dim. Min. Typ. Max. A 2.18 2.39 A2 0.13 b 0.65 0.884 b4 4.95 5.46 c 0.46 0.61 c2 0.46 0.60 D 5.97 6.22 D1 5.21 E 6.35 6.73 E1 4.32 e 2.286 e1 4.572 H 9.94 10.34 L 1.50 1.78 L1 2.74 L2 0.89 1.27 L4 1.02 12/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N Package information Figure 21. DPAK (TO-252) footprint (a) (cid:41)(cid:51)(cid:66)(cid:19)(cid:19)(cid:25)(cid:27)(cid:26)(cid:26)(cid:21)(cid:66)(cid:21)(cid:19) a. All dimensions are in millimeters DocID028674 Rev 1 13/15 15

Revision history STD11NM50N 5 Revision history Table 11. Document revision history Date Revision Changes First release. Part number previously included in datasheet 25-Nov-2015 1 DocID17156 14/15 DocID028674 Rev 1

STD11NM50N IMPORTANT NOTICE – PLEASE READ CAREFULLY STMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, enhancements, modifications, and improvements to ST products and/or to this document at any time without notice. Purchasers should obtain the latest relevant information on ST products before placing orders. ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale in place at the time of order acknowledgement. Purchasers are solely responsible for the choice, selection, and use of ST products and ST assumes no liability for application assistance or the design of Purchasers’ products. No license, express or implied, to any intellectual property right is granted by ST herein. Resale of ST products with provisions different from the information set forth herein shall void any warranty granted by ST for such product. ST and the ST logo are trademarks of ST. All other product or service names are the property of their respective owners. Information in this document supersedes and replaces information previously supplied in any prior versions of this document. © 2015 STMicroelectronics – All rights reserved DocID028674 Rev 1 15/15 15

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: S TMicroelectronics: STD11NM50N