ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD25483F4T
Datasheet下载- 型号： CSD25483F4T
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25483F4T由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25483F4T价格参考。Texas InstrumentsCSD25483F4T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD25483F4T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25483F4T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25483F4T是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型、低电压、低导通电阻的功率MOSFET器件，采用1.0mm×1.0mm DFN封装，适用于空间受限的便携式电子产品。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理开关、电池保护电路和负载开关，因其小尺寸和高效性能有助于节省PCB空间并提升能效。 2. DC-DC转换器：在同步整流降压或升压电路中作为开关元件，提供低导通损耗，提高转换效率。 3. 电机驱动：适用于微型直流电机或步进电机的驱动控制，常见于无人机、玩具、小型家电等低功率应用。 4. 热插拔与电源开关控制：用于防止浪涌电流，实现安全的电源上电时序管理。 5. LED背光驱动：在中小尺寸显示屏的LED恒流驱动电路中作为开关使用。 CSD25483F4T具有低栅极电荷（Qg）和低漏源导通电阻（Rdson约17mΩ），支持快速开关响应和低功耗运行，非常适合高频、高效率的开关应用。其耐压为20V，适合工作在3.3V至12V系统中，广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备中的电源管理模块。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V LGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD25483F4T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FemtoFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 198pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.96nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 205 毫欧 @ 500mA， 8V |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 其它名称 | 296-37783-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25483F4T |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A（Ta） |
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