Datasheet下载- 型号： RJK6015DPM-00#T1
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJK6015DPM-00#T1由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJK6015DPM-00#T1价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJK6015DPM-00#T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RJK6015DPM-00#T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJK6015DPM-00#T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号RJK6015DPM-00#T1是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，提供高效的能量转换和良好的热稳定性。 2. 电机控制：在无刷直流电机驱动、步进电机控制器及电动车控制系统中作为功率开关元件，实现对电机转速与方向的精确控制。 3. 负载开关：适用于电池供电设备中的负载切换控制，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中实现节能功能。 4. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、工业机器人和传感器模块中用作高频率开关，提升系统响应速度与可靠性。 5. 汽车电子：可用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优良的封装散热性能，适合高频、高效率设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RJK6015DPM-00#T1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 10.5A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PFM |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta） |
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