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Datasheet下载- 型号： FQA32N20C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FQA32N20C产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA32N20C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA32N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQA32N20C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 204W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA32N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA32N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA32N20C 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：FQA32N20C 适用于各种电源管理系统，如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器和电源适配器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制：在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻使其适合于高效能电机驱动电路。 3. 电池管理系统：在电池充电和保护电路中，FQA32N20C 可以用作开关元件，确保电池的安全充放电过程。它能够承受较高的电流和电压波动，提供可靠的保护功能。 4. 工业自动化：在工业控制系统中，MOSFET 常用于信号隔离、负载切换和保护电路。FQA32N20C 的高耐压能力和低功耗特点使其成为理想选择。 5. 消费电子设备：例如笔记本电脑、智能手机和平板电脑中的电源管理和背光驱动电路。它的紧凑封装和高效性能非常适合便携式设备的设计需求。 6. 汽车电子：在汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）和车载充电器等，FQA32N20C 提供了稳定可靠的工作表现，满足汽车级标准的要求。 7. LED 照明：用于 LED 驱动电路中，实现高效的电流控制和调光功能。其低导通电阻有助于降低发热，延长灯具寿命。 总之，FQA32N20C 凭借其优异的电气性能和可靠性，在广泛的电子应用领域中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 32A TO-3PMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA32N20CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQA32N20C |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 204 W |
| Pd-功率耗散 | 204 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 270 ns |
| 下降时间 | 210 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 245 ns |
| 功率-最大值 | 204W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
| 系列 | FQA32N20C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
