Datasheet下载- 型号： SI5433BDC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5433BDC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5433BDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5433BDC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5433BDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5433BDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5433BDC-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型TDFN-6封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于负载开关、电源管理开关、电池供电系统中的电源控制以及电机驱动等场景。 在移动设备如智能手机、平板电脑中，SI5433BDC-T1-GE3常用于电池电源的通断控制，实现高效能的电源分配与节能管理。其快速开关特性也适合用于热插拔电路和过流保护电路中，有效防止电流冲击。此外，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为同步整流或高端开关使用，提升转换效率。 由于其优异的热性能和小尺寸封装，该器件还广泛应用于可穿戴设备、物联网终端、便携式医疗仪器等对体积和功耗敏感的产品中。总体而言，SI5433BDC-T1-GE3凭借高可靠性、低功耗和紧凑设计，成为现代低电压、高效率电源系统中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5433BDC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5433BDC-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Ta） |
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