Datasheet下载- 型号： NTB6411ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB6411ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB6411ANT4G价格参考。ON SemiconductorNTB6411ANT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB6411ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB6411ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB6411ANT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源适配器和电池充电器等设备，作为高效开关元件，提升系统能效。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中用作功率开关，支持快速开关操作，降低导通损耗。 3. 负载开关：用于控制电源分配，如在服务器、计算机主板或工业控制系统中实现对不同负载的通断控制。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器或变频电路中，用于实现直流到交流的功率转换。 5. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明驱动或电机控制模块中，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合中高功率应用。其封装形式（如DPAK）便于散热和安装，广泛适用于工业、消费类及车载电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAKMOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 54 A |
| Id-连续漏极电流 | 54 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB6411ANT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTB6411ANT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 217 W |
| Pd-功率耗散 | 217 W |
| Qg-GateCharge | 100 nC |
| Qg-栅极电荷 | 100 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 144 ns |
| 下降时间 | 157 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 72A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB6411ANT4GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 功率-最大值 | 217W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 77A （Tc） |
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