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FQP50N06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP50N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP50N06价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFQP50N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP50N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP50N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP50N06是由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它属于单个MOSFET类型,广泛应用于多种电力电子设备和电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FQP50N06常用于开关电源、线性电源等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),在导通状态下能够减少功率损耗,提高效率。它可以作为开关元件,控制电源的通断,适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过控制栅极电压,可以实现对电机的启停、正反转以及速度调节等功能。其较高的电流承受能力(最大 drain-source 电流可达50A)使其适合驱动较大功率的电机。 3. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中,FQP50N06可以用作负载开关。例如,在消费电子产品、工业控制系统中,当需要快速切断或接通负载时,MOSFET的高速开关特性能够提供可靠的控制,同时其低导通电阻可以减少发热。 4. 电池管理系统 FQP50N06可用于电池充电和放电保护电路中。它可以在电池过充、过放或短路时迅速切断电路,保护电池和其他电路元件。此外,它还可以用于电池均衡电路,确保多个串联电池的电压一致。 5. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中,FQP50N06可以作为功率开关元件,将直流电转换为交流电,或者改变交流电的频率和电压。其耐压值为60V,能够满足大多数低压逆变器和变频器的需求。 6. 继电器替代 在一些应用中,FQP50N06可以用作固态继电器的替代品。相比传统机械继电器,MOSFET具有更快的响应速度、更长的使用寿命,并且没有机械磨损问题。 总的来说,FQP50N06凭借其优良的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用场合,特别是在需要高效、快速开关和低功耗的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220MOSFET TO-220 N-CH 60V 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP50N06QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP50N06 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 120 W |
| Pd-功率耗散 | 120 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | FQP50N06-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
| 系列 | FQP50N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP50N06_NL |