ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS84P-E6327
Datasheet下载- 型号： BSS84P-E6327
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84P-E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84P-E6327价格参考。InfineonBSS84P-E6327封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载BSS84P-E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84P-E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS84P-E6327 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于低功耗和高效率的电子系统中。该器件采用小型封装（如SOT-23），具有良好的开关特性和较低的导通电阻，适合在便携式设备和空间受限的设计中使用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，实现对不同模块的供电使能与节能管理。 2. 信号切换：在模拟或数字信号路径中作为开关元件，用于多路复用器、电平转换电路或I²C总线隔离等场景。 3. 电机驱动与继电器驱动：在小功率驱动电路中控制电机启停或驱动微型继电器，适用于家用电器和工业控制模块。 4. 反向极性保护：利用其P沟道特性，在电源输入端实现防反接保护，防止因电池装反而损坏电路。 5. 消费类电子产品：广泛用于路由器、机顶盒、LED驱动模块等产品中的逻辑控制与电压切换功能。 BSS84P-E6327具备高可靠性、温度稳定性好，并符合RoHS环保标准，是中小功率模拟与数字电路中理想的开关元件。其高集成度和低静态功耗特点，特别适合追求高效能与长续航的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSS84P_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa30b43c0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSS84P-E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 170mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BSS84PE6327 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
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