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Datasheet下载- 型号： PDZ6.2B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDZ6.2B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ6.2B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ6.2B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ6.2B,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 6.2V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ6.2B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDZ6.2B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ6.2B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款表面贴装（SOD-323 封装）单齐纳二极管，标称稳压值为 6.2 V（典型值），容差 ±5%，最大功率耗散为 250 mW，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器供电或微控制器（MCU）I/O 端口保护中，为 ADC 参考源、比较器阈值或偏置电路提供稳定 6.2 V 基准； 2. 过压保护（OVP）与钳位：与限流电阻配合，用于 USB 接口、GPIO 引脚或通信线路（如 I²C、UART）的瞬态电压抑制（TVS 辅助），将输入/输出电压钳位于 6.2 V 左右，防止后级 IC 过压损坏； 3. 电源监控与复位电路：在简易电源监测设计中，配合晶体管或比较器实现欠压/过压检测，触发系统复位； 4. 消费电子与工业控制板：广泛应用于机顶盒、智能电表、LED 驱动电源反馈环路、小型 PLC 模块等对成本、尺寸和可靠性要求较高的嵌入式系统中。 该器件符合 AEC-Q200（部分批次）、RoHS 和无卤素标准，具备良好的ESD耐受能力（HBM ≥8 kV），适合自动化贴片生产。需注意：实际应用中应校核功耗（P = Vz × Iz），避免持续大电流工作，并建议添加串联限流电阻以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ6.2B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ6.2B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 3V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-11261-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 50 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 2.7 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ6.2B T/R |
| 齐纳电压 | 6.195 V |
