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  • 型号: 1N5226BTR
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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1N5226BTR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5226BTR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5226BTR价格参考¥0.22-¥0.42。Fairchild Semiconductor1N5226BTR封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5226BTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5226BTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5226BTR 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号的主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - 1N5226BTR 的齐纳击穿电压为 5.1V,适合用作简单电路中的电压稳压器。例如,在低功率电子设备中,它可以稳定电源电压,确保后级电路的正常工作。
   - 常见应用包括为运算放大器、微控制器或其他敏感器件提供稳定的参考电压。

 2. 电压参考
   - 在需要精确电压参考的电路中,1N5226BTR 可作为基准电压源。例如,在模拟-数字转换器(ADC)或数字-模拟转换器(DAC)的校准电路中,它能提供稳定的参考电压。

 3. 过压保护
   - 该齐纳二极管可用于防止输入电压过高而损坏后续电路。例如,在传感器接口或通信线路中,1N5226BTR 可以限制输入电压不超过其齐纳电压(5.1V),从而保护敏感元件。

 4. 信号箝位
   - 在信号处理电路中,1N5226BTR 可用于将信号电压限制在特定范围内。例如,在音频电路或数据传输线路中,它能够防止信号幅度过大而导致失真或损坏。

 5. 电源监控
   - 在电池供电设备中,1N5226BTR 可用于监控电池电压。当电池电压下降到低于齐纳电压时,可以触发低电压警告或关断电路。

 6. 简易调节电路
   - 结合电阻和电容,1N5226BTR 可构成简单的线性稳压电路,适用于对精度要求不高的场景,如小型 LED 驱动或低功耗模块供电。

 特点总结:
   - 额定功率:0.5W
   - 齐纳电压:5.1V(±5% 精度)
   - 正向电流:最大 1A
   - 封装形式:TO-202AA(通孔封装)

由于其性价比高、性能可靠,1N5226BTR 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。需要注意的是,在实际使用中,应根据电路需求选择合适的限流电阻,以确保齐纳二极管工作在安全的工作区内。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35稳压二极管 3.3V 0.5W Zener

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N5226BTR-

数据手册

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产品型号

1N5226BTR

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

25µA @ 1V

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

DO-35

其它名称

1N5226BFSCT

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

126 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

封装/箱体

DO-35

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

5000

最大反向漏泄电流

25 uA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

28 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.3V

电压容差

5 %

电压温度系数

- 0.07 %/C

系列

1N5226B

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

零件号别名

1N5226BTR_NL

齐纳电压

3.3 V

齐纳电流

20 mA

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