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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ13B,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ13B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ13B,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDZ13B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDZ13B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的PDZ13B,115是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:PDZ13B,115可用作电压参考元件,在电源电路中提供稳定的参考电压,确保后级电路的正常工作。例如,在低功耗设备或传感器模块中,齐纳二极管可为敏感电路提供稳定的供电电压。 2. 过压保护:该型号的齐纳二极管可用于保护敏感电子器件免受瞬态过压的影响。例如,在输入端口或通信接口(如UART、SPI等)中,齐纳二极管可以限制电压峰值,防止过高电压损坏后续电路。 3. 信号电平转换:在模拟信号处理或混合信号电路中,PDZ13B,115可用于将输入信号的电压范围限制在一个特定值内,以适应后续放大器或ADC的输入要求。 4. 基准电压源:齐纳二极管可以作为简单的基准电压源,用于比较器电路或反馈控制回路中。例如,在开关电源或线性稳压器的设计中,齐纳二极管可提供稳定的基准电压。 5. ESD保护:在一些需要高可靠性的应用中,PDZ13B,115可以用作静电放电(ESD)保护元件,快速钳位瞬时高压,从而保护核心电路。 6. 音频电路中的限幅:在音频放大器或其他模拟电路中,齐纳二极管可用于限制信号幅度,避免失真或损坏扬声器等输出设备。 由于PDZ13B,115具有紧凑的封装和稳定的性能,它特别适合消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域的小型化设计需求。同时,其齐纳电压精度较高,能够满足大多数中低功率应用的要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 13V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ13B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ13B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 10V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-11258-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 13V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 9.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ13B T/R |
| 齐纳电压 | 13.2 V |