Datasheet下载- 型号： PDZ13B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ13B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ13B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ13B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDZ13B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDZ13B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ13B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管（Zener Diode），标称稳压值为 13 V（容差约 ±5%，典型值），最大功率为 400 mW，采用小型 SOD-323 表面贴装封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或微控制器外围中，为ADC参考源、传感器供电或偏置电路提供稳定13 V基准电压； 2. 过压保护（钳位）：与TVS或限流电阻配合，用于保护敏感IC引脚（如I²C、GPIO）免受瞬态过压（如ESD或感应浪涌）损害； 3. 电源轨箝位与反馈：在线性稳压器（如LDO）或DC-DC反馈网络中辅助设定输出电压或实现欠压/过压检测阈值； 4. 信号电平转换与限幅：在通信接口（如RS-232接收端）或音频前级中限制信号幅度，防止后级饱和； 5. 低成本嵌入式系统：广泛应用于消费电子（机顶盒、遥控器）、工业控制模块及汽车电子（如车身控制单元BCU中的非安全相关子电路）等对成本和尺寸敏感的场景。 该器件具备良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.05%/°C）和快速响应特性，适合中低频、中小电流（≤30 mA）稳压需求。需注意：实际应用中应串联限流电阻，并避免长期工作在最大功耗边缘以确保可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 13V 400MW SOD323稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ13B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ13B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 10V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-11258-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 9.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ13B T/R |
| 齐纳电压 | 13.2 V |
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