【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_BD435G】封装/厂家_BD435G中文资料_价格

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型号： BD435G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BD435G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD435G价格参考。ON SemiconductorBD435G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 32V 4A 3MHz 36W 通孔 TO-225AA。您可以下载BD435G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD435G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BD435G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种NPN型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在功率放大、开关和信号处理方面表现优异。

 应用场景：

1. 电源管理：
   BD435G常用于电源管理电路中，作为开关或线性调节器的组件。它可以有效地控制电流流动，确保电源系统的稳定性和效率。例如，在DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中，BD435G可以实现精确的电压和电流控制。

2. 音频放大器：
   由于其良好的线性特性和低噪声性能，BD435G也适用于音频放大器的设计。它可以作为前置放大级或功率输出级的一部分，提供高保真的音频信号放大，同时保持较低的失真率。

3. 电机驱动：
   在小型电机驱动应用中，BD435G可以用作驱动晶体管，控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较大的电流波动，确保电机运行的可靠性和稳定性。

4. 继电器驱动：
   BD435G还可以用于驱动继电器，通过控制继电器线圈的通断来实现对大功率负载的开关操作。它的高电流承载能力使得它能够在继电器驱动电路中发挥重要作用。

5. 传感器接口：
   在传感器接口电路中，BD435G可以作为信号放大和处理的元件。它可以将微弱的传感器信号放大到可检测的水平，或者用于信号调理电路中，确保信号传输的准确性和可靠性。

6. 保护电路：
   BD435G还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过监测电流的变化，它可以及时切断电流路径，防止电路因过载而损坏。

总的来说，BD435G凭借其出色的电气特性、可靠性和广泛应用范围，成为许多电子设计中的理想选择。无论是消费电子产品、工业控制系统还是汽车电子，BD435G都能胜任各种应用场景的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN 32V 4A BIPO TO-225AA两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BD435G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BD435G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	85 @ 500mA，1V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-225AA
功率-最大值	36W
包装	散装
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	3 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-225-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	36000 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	4 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	500
电压-集射极击穿（最大值）	32V
电流-集电极(Ic)（最大值）	4A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
系列	BD435
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	32 V
集电极—基极电压VCBO	32 V
频率-跃迁	3MHz

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