ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT4413-7-F
Datasheet下载- 型号： MMDT4413-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4413-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4413-7-F价格参考￥询价-￥询价。Diodes Inc.MMDT4413-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 600mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT4413-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT4413-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT4413-7-F是Diodes Incorporated推出的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，内部集成了两个NPN型三极管，采用SOT-26封装，适用于高密度、小型化的电路设计。该型号具有优异的开关特性和放大性能，常用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 其典型应用场景包括： 1. 信号切换与逻辑控制：在数字电路中作为开关元件，用于实现信号通断控制，如微控制器I/O扩展驱动、LED驱动或继电器控制。 2. 音频与模拟放大：适用于低功率音频放大电路或小信号放大应用，如耳机放大器前置级或传感器信号调理电路。 3. 电源管理：可用于DC-DC转换器中的驱动电路或负载开关，提升系统能效。 4. 通信设备：在无线模块、射频前端控制电路中用于偏置调节或信号路由。 5. 消费电子：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中的电源控制、接口电平转换和马达驱动等模块。 MMDT4413-7-F具备高增益、低饱和电压和良好的热稳定性，适合在紧凑空间内实现高效可靠的电路功能，是现代电子设计中常用的通用型双晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT363两极晶体管 - BJT 40 / 40V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4413-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT4413-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V / 100 @ 150mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT4413-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT4413 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz，200MHz |
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