ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT4413-7-F
Datasheet下载- 型号： MMDT4413-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4413-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4413-7-F价格参考￥询价-￥询价。Diodes Inc.MMDT4413-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 600mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT4413-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT4413-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT4413-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-26封装，内含两个独立的PNP晶体管（共发射极配置），具有匹配特性、低饱和电压和高电流增益（hFE）。其典型应用场景包括： 1. 负载开关与电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中控制LED背光、传感器供电或外设电源通断，利用其低VCE(sat)（典型0.05V @ IC=50mA）实现高效开关。 2. 逻辑电平转换与接口驱动：在3.3V/1.8V MCU与5V或更高电压外围电路间提供反相缓冲或推挽输出（配合外部NPN器件），适用于I²C总线缓冲、GPIO扩展等场景。 3. 小信号放大与检测电路：用于电池电压监测、温度传感信号调理中的电流镜、差分对或恒流源，得益于两管参数匹配性好，适合精密模拟前端设计。 4. 电机/继电器驱动（小功率）：驱动微型振动马达、蜂鸣器或小型电磁阀（IC<200mA），配合限流电阻与续流二极管使用。 该器件工作温度范围为−55°C至+150°C，符合AEC-Q101标准（汽车级），亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等车规应用。注意其最大集电极电流为200mA（每通道），不适用于大功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT363两极晶体管 - BJT 40 / 40V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4413-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT4413-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V / 100 @ 150mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT4413-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT4413 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz，200MHz |
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