Datasheet下载- 型号： MR4A16BCYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A16BCYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A16BCYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A16BCYS35R封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 35ns 54-TSOP2。您可以下载MR4A16BCYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A16BCYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 的MR4A16BCYS35R是一款16兆位（2MB）的串行四通道SPI接口磁阻随机存取存储器（MRAM），属于非易失性存储器。其主要应用场景包括工业自动化、嵌入式系统、网络通信设备和高可靠性数据记录系统。 该器件结合了SRAM的高速读写性能与非易失性存储特性，断电后数据可长期保存，且无需电池支持。典型应用包括工业PLC中的实时数据缓存、电力系统中的事件记录、医疗设备中的配置存储以及航空航天和国防领域的高可靠存储需求。 MR4A16BCYS35R具备高达35MHz的SPI接口速率，支持标准和四I/O操作模式，适合需要频繁写入、低延迟和高耐久性的场景。相比传统EEPROM或Flash，它具有近乎无限的写入寿命（>10^12次），无写入延迟，避免了擦除周期限制。 此外，在边缘计算设备和物联网网关中，该MRAM可用于快速保存关键运行数据，确保系统异常断电时信息不丢失。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）也使其适用于恶劣环境下的工业与车载应用。 综上，MR4A16BCYS35R广泛应用于对数据完整性、写入速度和系统可靠性要求较高的领域，是替代传统非易失性存储器的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 16MBIT 35NS 54TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR4A16BCYS35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 16M （1M x 16） |
| 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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