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Datasheet下载- 型号： FQP12P20
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FQP12P20产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP12P20由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP12P20价格参考。Fairchild SemiconductorFQP12P20封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 200V 11.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP12P20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP12P20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP12P20 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 - 负载开关：FQP12P20 可用于控制电路中的负载通断，实现高效的电源切换。 - 低压降电源（LDO）：作为 LDO 的开关元件，帮助实现稳定的电压输出。 - 电池保护电路：在便携式设备中，该 MOSFET 可用于防止电池过充或过放。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等场景中的低功率电机驱动。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向控制电机的旋转方向。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入或输出信号。 - 数据信号隔离：在通信系统中，用于隔离和切换不同的信号路径。 4. 汽车电子 - 车载照明控制：用于控制车内 LED 灯、尾灯或其他照明设备的开关。 - 辅助电路控制：如电动车窗、雨刷器等低功率负载的控制。 5. 消费电子 - 便携式设备：如手机充电器、平板电脑、电子书阅读器等的电源管理模块。 - USB 电源管理：用于 USB 接口的电流限制和保护功能。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：在低电压条件下提供高效率。 - 高开关速度：适合需要快速响应的应用场景。 - 宽工作电压范围：支持多种电源环境。 - 小封装尺寸：便于集成到紧凑型设计中。 综上，FQP12P20 广泛应用于各种低功率、低电压的电子设备中，尤其适合需要高效开关和电源管理的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220MOSFET 200V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP12P20QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP12P20 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 120 W |
| Pd-功率耗散 | 120 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 470 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 470 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 195 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 470 毫欧 @ 5.75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Tc） |
| 系列 | FQP12P20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP12P20_NL |
