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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN306P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN306P价格参考¥0.68-¥0.68。Fairchild SemiconductorFDN306P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN306P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN306P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDN306P是一款P沟道增强型MOSFET,属于小信号功率MOSFET,广泛应用于低电压、低功耗的开关和控制场景。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合空间受限的便携式电子设备。 FDN306P主要适用于电池供电设备中的电源管理与开关控制,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等。其低导通电阻(RDS(on))和低阈值电压特性,使其在低电压(如3.3V或5V)系统中具有较高的能效,有助于延长电池续航时间。 典型应用场景包括:负载开关、电源通断控制、电机驱动、LED驱动电路、电平转换器以及各类小型继电器或传感器的驱动电路。由于其具备良好的热稳定性和可靠性,也常用于工业控制模块、消费类电子产品和家用电器中的信号切换与保护电路。 此外,FDN306P还适用于需要反向电流阻断或防止电源反接的电路设计,为系统提供安全保护。总体而言,该MOSFET凭借其高效率、小尺寸和稳定性,成为众多低功耗电子系统中理想的开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN306PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN306P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1138pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 2.6A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN306PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |
| 系列 | FDN306P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN306P_NL |