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PSMN059-150Y,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN059-150Y,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN059-150Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN059-150Y,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 43A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN059-150Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN059-150Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN059-150Y,115是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用SOT-669(LFPAK56)封装,具有低导通电阻(RDS(on)典型值为5.9 mΩ @ VGS = 10 V,7.5 mΩ @ 4.5 V)、高电流能力(ID = 80 A)及优异热性能。其主要应用场景包括: - 电源管理:用于DC-DC转换器(如Buck、Boost拓扑)中的同步整流开关,提升效率;适配服务器、通信设备及工业电源的高密度、高效率需求。 - 电机控制:驱动中小功率直流电机、步进电机或风扇,尤其适用于需PWM调速与快速开关响应的场景(如电动工具、家用电器、无人机电调)。 - 负载开关与电源路径管理:在便携式设备、工控模块中实现高效上电/断电控制、电池充放电保护及热插拔保护。 - LED驱动与照明系统:作为恒流调节或调光开关,支持高频率PWM调光,降低EMI。 - 汽车电子(AEC-Q101认证版本适用):该型号有车规级衍生品,可用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动、LED车灯等非安全关键应用(注:PSMN059-150Y,115本身为工业级,若用于汽车需确认具体批次是否通过AEC-Q101认证)。 其逻辑电平驱动特性(4.5 V即可充分导通)兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动,简化外围电路;LFPAK56封装兼顾散热性与PCB空间效率,适合紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 43A LFPAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN059-150Y,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN059-150Y,115 |
| Pd-PowerDissipation | 113 W |
| Pd-功率耗散 | 113 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 11.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1529pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4734-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 54.2 ns |
| 功率-最大值 | 113W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 43A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |