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  • 型号: PSMN059-150Y,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN059-150Y,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN059-150Y,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN059-150Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN059-150Y,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 43A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN059-150Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN059-150Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia的PSMN059-150Y,115是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用SOT-669(LFPAK56)封装,具有低导通电阻(RDS(on)典型值为5.9 mΩ @ VGS = 10 V,7.5 mΩ @ 4.5 V)、高电流能力(ID = 80 A)及优异热性能。其主要应用场景包括:

- 电源管理:用于DC-DC转换器(如Buck、Boost拓扑)中的同步整流开关,提升效率;适配服务器、通信设备及工业电源的高密度、高效率需求。  
- 电机控制:驱动中小功率直流电机、步进电机或风扇,尤其适用于需PWM调速与快速开关响应的场景(如电动工具、家用电器、无人机电调)。  
- 负载开关与电源路径管理:在便携式设备、工控模块中实现高效上电/断电控制、电池充放电保护及热插拔保护。  
- LED驱动与照明系统:作为恒流调节或调光开关,支持高频率PWM调光,降低EMI。  
- 汽车电子(AEC-Q101认证版本适用):该型号有车规级衍生品,可用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动、LED车灯等非安全关键应用(注:PSMN059-150Y,115本身为工业级,若用于汽车需确认具体批次是否通过AEC-Q101认证)。

其逻辑电平驱动特性(4.5 V即可充分导通)兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动,简化外围电路;LFPAK56封装兼顾散热性与PCB空间效率,适合紧凑型设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 43A LFPAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

43 A

Id-连续漏极电流

43 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN059-150Y,115-

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产品型号

PSMN059-150Y,115

Pd-PowerDissipation

113 W

Pd-功率耗散

113 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

59 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

59 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

42 ns

下降时间

11.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1529pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

59 毫欧 @ 12A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-4734-6

典型关闭延迟时间

54.2 ns

功率-最大值

113W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

43A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Triple Source

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