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Datasheet下载- 型号： FDD3N50NZTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDD3N50NZTM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD3N50NZTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD3N50NZTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD3N50NZTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak。您可以下载FDD3N50NZTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD3N50NZTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD3N50NZTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场景。其额定电压为500V，电流能力适中，适用于中高功率的电源转换系统。 该器件常见应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC或DC/DC转换器中，实现高效能电能转换； 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为功率开关使用； 3. 照明系统：如LED驱动电源中，作为主开关或同步整流元件； 4. 家电控制：如变频空调、洗衣机等家用电器中的功率控制模块； 5. 工业自动化：用于工业控制设备中的电源管理和负载切换。 其优势在于高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V DPAKMOSFET UNIFET2 500V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD3N50NZTMUniFET-II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD3N50NZTM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 6.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD3N50NZTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
| 系列 | FDD3N50NZ |
| 配置 | Single |
