Datasheet下载- 型号： SIHB30N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB30N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB30N60E-GE3价格参考。VishaySIHB30N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB30N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB30N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHB30N60E-GE3 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，具有 600V 耐压和 30A 连续漏极电流能力，适用于高效率、高频率的开关电源系统。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源、通信电源等中高功率 AC-DC 转换器中，作为主开关管使用，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高能效。 2. LED 驱动电源：适用于大功率 LED 照明系统中的升压或反激式拓扑结构，提供稳定高效的能量转换，满足高功率因数和低谐波失真的要求。 3. 电机驱动：可用于中小功率交流或直流电机控制电路，如家用电器、工业风扇和泵类设备中的逆变或斩波控制模块。 4. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中，该器件可应用于 DC-AC 逆变电路，实现高效电能转换，支持高频工作以减小磁性元件体积。 5. PFC（功率因数校正）电路：常用于连续导通模式（CCM）升压 PFC 拓扑中，提升输入功率因数，降低电网谐波污染，符合能源效率标准（如 Energy Star、IEC 61000-3-2）。 SIHB30N60E-GE3 采用 TO-220 或类似封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业级应用环境。其优化的栅极设计降低了开关损耗，同时增强了抗雪崩能力和 dv/dt 抗扰度，提升了系统鲁棒性。综合性能使其成为高电压、中高功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAKMOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHB30N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHB30N60E-GE3SIHB30N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 85 nC |
| Qg-栅极电荷 | 85 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | SIHB30N60EGE3 |
| 典型关闭延迟时间 | 63 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 系列 | E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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