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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD1155LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD1155LT1价格参考。ON SemiconductorNTJD1155LT1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 8V 1.3A 400mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD1155LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD1155LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJD1155LT1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别。该器件具有以下典型应用场景: 1. 电源管理 - NTJD1155LT1 可用于开关电源、稳压器和 DC-DC 转换器中,作为功率开关或同步整流元件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并减少能量损耗。 - 在电池管理系统(BMS)中,可用于控制电池充放电路径或实现负载切换。 2. 电机驱动与控制 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关功能。 - 在 H 桥或半桥拓扑结构中,用作功率级元件,实现电机正转、反转及制动控制。 3. 负载开关 - 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,可用作负载开关以控制外围设备的供电状态,降低待机功耗。 - 提供快速开启/关闭能力,同时支持过流保护和短路保护功能。 4. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器应用中,用于切换不同的信号路径,确保信号完整性。 - 其高输入阻抗和低输出阻抗特性使其非常适合需要精确控制的应用场景。 5. 热插拔保护 - 在服务器、网络设备或工业控制系统中,用于实现热插拔功能,保护系统免受瞬态电压或电流冲击的影响。 6. LED 驱动 - 用于驱动 LED 灯串或背光模块,通过 PWM 调光技术调节亮度。 - 其低导通电阻可减少发热,延长产品寿命。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域,可用于车身控制模块(BCM)、座椅调节、车窗升降器等应用中,提供可靠的开关功能。 - 符合 AEC-Q101 标准(如果适用),适合严苛环境下的长期运行。 总结 NTJD1155LT1 的主要优势在于其紧凑的封装尺寸、出色的电气性能以及可靠性,适用于多种需要高效开关和功率管理的场合。具体应用需根据实际电路设计需求进行选型和优化。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTJD1155LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 400mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.3A |